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纳米结构特性<br> <br>原子、键结与物质<br> 所有的材料与物质均是由原子经适当的化学键结所组合而成,包括一级键结的金属键、离子键与共价键,二级键结则有凡得瓦键与氢键。键结长度由两原子靠近时之净作用力和(原子吸引力与排斥力)为零的距离所决定,而净作用力对原子分隔距离积分所得位能曲线,则在键长处有最低的位能。此一键结性质不仅对应于材料的机械性质,也与热性质息息相关。固态物质不仅是单纯的原子凝集体,个别原子之价电子的电子能阶,因原子键结而形成键结轨域与反键结轨域,其轨域数目随着键结数的增加而增加,且能阶间距随之缩小而近似于连续性分布的能带。此一固态能阶大小与分布的性质,与键结的原子种类及原子数目有高度的关连性,所影响的物质性质包括:电性质、光性质、磁性质与光电性质等。纳米结构是指至少有一维尺度介于1~100 nm的物质结构,包括:由几个至几百个原子的聚集体所形成约数纳米大小的原子团簇(clusters);颗粒尺寸为纳米量级(1~100 nm)的超细纳米微粒(nanoparticles);以及由一定数量原子所组成的人造原子聚集体,又称量子点。在这些纳米结构物质中,因构筑物质的原子数目及其分布随着物质尺寸的缩减而急遽变化,影响其性质的键结与能阶特性也与块材有着截然不同的呈现。以下即就纳米结构中的表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应与量子局域效应等特性作说明。<br>表面效应<br> 物质微粒随着尺度的降低,分布于微粒表面的原子数比例随之增加,这些表面原子由于近邻配位不全,无法形成最低键结位能的稳定态,而有较高的表面位能且极不稳定,具有极高的化学活性易与其它原子键结。此一表面原子活性的效应,是构成惰性贵金属触媒活性的主要原因。纳米微粒表面原子最近邻数低于微粒内部,再加上大的比表面积,使得相邻原子间的非键结电子对排斥力降低,这会导致纳米粒子内键长的缩短以及晶格排列的变形,原子间距的缩小,将会使磁性材料的特征物理量—居里温度(Tc)随粒径减小而下降。另外,在金属微粒中,因粒径减小所导致的表面能增大,使得纳米金属微粒于熔融时,所需增加热能以促进原子扩散远比块材小得多,这正是纳米金属微粒熔点急遽下降的原因。将纳米微粒的陶瓷粉末在高压下压制成型,应用于陶瓷的烧结制程时,可在较低的烧结温度,利用纳米微粒的高界面能驱动原子的扩散,达到精密陶瓷高致密化的效果。<br>小尺寸效应<br> 藉由降低晶粒的尺寸大小以达到阻止插排移动的效果,常应用于提升复晶材料的机械强度。对许多材料而言,降伏强度s y(或是硬度H)随晶粒尺寸减小而增大的关系,可由Hall-Pectch eq.来表示:<br> ; <br> 式中s 0、H0与K为常数,d为平均晶粒直径。一般而言,K值为正数,且s y或H是与d-1/2成正比线性关系。然而在纳米晶粒大小的材料中,其尺度接近于内部相邻插排的间距,使得纳米材料的硬度与晶粒尺寸的关系,无法用上述关系式解释,而有复杂的正K值、负K值以及正负K值混合的关系。在此同时,纳米晶粒材料所具有极大体积比例的晶界,会大幅改善陶瓷材料的塑性、冲击韧性与断裂韧性,而欲得到高强度、超塑性的精密陶瓷材料,则晶粒大小的控制须在一临界的尺度范围内。<br> 当纳米微粒的尺寸小于光波长度时,即无法再反射入射光,且具有很强的光吸收率,使得多种纳米金属微粒均呈现黑色的外观。若电子波于纳米尺寸的物质微粒中传导时,其周期性晶格的边界条件将于纳米微粒的表面被破坏,而表面原子则会产生大量的表面态能阶,并在原先块材的能隙中生成新的能阶(如图一所示)。纳米微粒中的磁化方向因尺寸的缩小,可因热运动致使向异性降低,而有超顺磁性的特性。另外一方面,因纳米微粒的尺寸小至仅单磁畴的大小时,欲使此一永磁性微粒的磁矩反转,则须加大反向磁场强度以使整个粒子反转,使得纳米微粒具有很高的磁矫顽力。<br> <br>图一 半导体块材能带结构与原子团簇能阶结构示意图(2)<br>量子尺寸效应<br> 在能带理论中,金属材料的电子能阶于费米能阶附近是连续性分布的能带,随着粒子尺寸的降低,转变为离散性的电子能阶。久保(Kubo)理论进一步说明相邻电子能阶间距d 与纳米金属粒子直径d的关系,如下所示:<br> <br> <br>图二 光的吸收、自发光与受激发光<br> 式中N为粒子中的总导电电子数,EF为费米能阶。可看出随着粒径的减小,能阶间距增大。此一量子尺寸效应,显现于纳米半导体微粒的效应则是能隙变宽,而键价带与导电带的能带则转变成不连续分布的能阶。在材料的光性质上,主要是光的吸收与发光,其程序如图二所示为能阶之间的电子转移。纳米半导体微粒因尺度的缩小,通常伴随着光吸收的蓝位移,其原因即是因为能隙变宽所致。在纳米微粒的发光现象上,当激发态电子转移至基态时,其发射光的波长由能隙宽度所决定,随着微粒尺寸的缩小,发射光的颜色相较于块材,因能隙变宽而产生往短波长偏移的现象(如图三所示)。亦即,我们可藉由制备不同粒径大小的纳米半导体微粒来控制所发出的光色。若是所使用的纳米半导体微粒为宽能隙的n-型半导体(如TiO2、ZnO、CdS、PbS等),则在大于能隙能量的可见光或紫外光照射下,受光激发所产生的电子跃迁至导电带,并在键价带留下电洞,此一电子-电洞对的分离(如图四所示),因纳米半导体粒子粒径缩小所致的能隙宽度变大,而变得极有效率,再加上粒径缩小至与半导体的德拜长度(Debye length)相当,则光激发所产生的载子流可以经由扩散由粒子内部迁移到粒子的表面,电子可以转移至电子受体的化合物进行还原反应,而电洞则与氧化物半导体表面的OH?/SUP>官能基进行氧化反应,生成高活性的OH自由基,可将许多难分解的有机化合物,降解氧化成二氧化碳和水等简单的化合物,此即为纳米半导体微粒所具有的光触媒催化特性。<br> <br>图三 纳米半导体微粒能隙值与粒径大小的关系(2)<br> <br>图四 二氧化钛纳米半导体微粒的光触媒催化程序(4)<br>量子局域效应<br> 根据海森堡测不准原理,经由量子力学无法同时于物质中正确得知电子(或光子)的位置与动量,其中一个愈准确,另一个就愈不准确。若将电子(或光子)限制在狭小的纳米空间范围里,则可能的动量范围就愈广,动量范围愈广,则电子(或光子)平均能量就愈高,且在范围边界处,其性质有量子化跃迁的效应(如图五所示)。当纳米半导体微粒的粒径 r 小于激子波耳半径(exciton Bohr radius)aB时,电子的平均自由行程局域于很小的空间,此时电洞极易与电子结合形成激子,由电子和电洞波函数的重叠所产生的激子吸收能带,不仅具有很强的激子能带吸收系数,于受光激发时,则呈现明显的发光现象。<br> <br>图五 电子与光子的量子局域效应(3)<br> 光子晶体(photonic crystals)是由不同介电常数的材料周期排列所成的结构,其规则排列周期宽度约为可见光至红外光波长的1/4~1/2 (约80~800 nm),如同半导体材料对电子之影响一般,光子晶体的结构也会影响电磁波于晶体中的传导,亦即在晶体结构中存在一能带间隙可排除特定频率的光子通过,所以光子晶体又称为光能隙晶体(photonic bandgap crystals, PBG)。图六(A)所示是由两不同介电薄膜交替组成一维PBG晶体结构示意图。由图六(A)结构所计算的一维PBG晶体光子能带结构示于图六(B),图中斜线区域即为光子能带间隙,任何电磁波之频率落于此区域时,无论其方向或偏极化皆无法传导通过PBG晶体,而被局域于此空间之内。光子能带结构通常是以不同波长电磁波的穿透率量测(如图六C所示),其能带间隙特征主要由三个参数所决定:能隙中间值(l min);能隙宽(D l )或gap/midgap比值(D l /l min);能隙最大衰减值(10 log(Imax/Imin))(单位为dB)。光子晶体可用来局域、控制、调变三次元空间的光子传导,例如阻隔特定频率光子的传导;将限定频率的光子定域化于特定面积;禁制激发态发光基团的自发光;充当特定方向无损耗的光波导,这些性质可应用于相干性发光二极管、无阀值半导体二极管雷射,及其它光学、光电及量子组件的性能提升等。<br> <br>图六(A)由两不同介电薄膜交替组成的1D PBG晶体结构示意图;<br>(B)代表性一维 PBG晶体光子能带结构示意图;<br>(C)PBG晶体光子能带结构以不同波长电磁波之穿透光谱量测。(5)<br>参考文献<br> (1)张力德,牟季美,「纳米材料和纳米结构」,科学出版社,北京(2001)。<br> (2)A.D.Yoffe,Adv.Phys.51,799(2002).<br> (3)C.Weisbuch,H.Benisty,R.Houdre,J.Lumin.85,271(2000).<br> (4)P.V.Kamat,J.Phys.Chem.B,106,7729(2002).<br> (5)Y.Xia et al.,Adv.Mater.,12,693(2000).<p> |
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